Se puede explicar
la acción básica de amplificación del transistor sobre
un nivel superficial utilizando la red de la figura 4.23. La polaridad
de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro interés
se limita a la respuesta en corriente alterna. Para la configuración
de base común, la resistencia de corriente alterna de entrada determinada
por las características de la figura 4.22 es muy pequeña
y casi siempre varía entre 10 y 100
.
La resistencia de salida, según se determinó en las curvas
de la figura 4.18 es muy alta (mientras más horizontales sean las
curvas, mayor será la resistencia) y suele variar entre 50 k
y 1 M. La diferencia en cuanto a
resistencia se debe a la unión con polarización directa en
la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa
en la salida (base-colector). Utilizando un valor común de 20
para la resistencia de entrada, se encuentra que
Figura 4.22. Características
del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio
de base común.
Ii = Vi / Ri = 200mV
/ 20 = 10 mA
IL = Ii +10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 k)
= 50 V
Figura 4.23. Acción básica de amplificador de voltaje de la configuración base común.
AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250
Los valores típicos
de la amplificación de voltaje para la configuración de base
común varían entre 50 y 300. La amplificación de corriente
(IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base
común.
La acción
básica de amplificación se produjo mediante la transferencia
de una corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta.
Transferencia + Resistor
==> Transitor
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